10月11日下午，古瑞瓦特與全球知名的半導體制造商安森美半導體舉行的“古瑞瓦特新能源及安森美半導體聯(lián)合實驗室”二期建設正式完成，并舉行了交流會議。古瑞瓦特總裁丁永強、古瑞瓦特副總裁吳良材、安森美半導體中國區(qū)銷售總裁Roy Chia等領導出席了該會議。

01 深度交流 共謀發(fā)展

　　會議上，雙方就光伏市場變化、技術創(chuàng)新、合作方向進行了深度交流。安森美方代表介紹了安森美半導體技術實力，表示未來會加大與古瑞瓦特的技術合作。丁總表示，古瑞瓦特視產品品質及科技創(chuàng)新為生命，長期堅持高投入用于技術研發(fā)創(chuàng)新，公司產品品質及技術均已達到國際領先水平，與安森美半導體的深入合作，將進一步加強雙方技術優(yōu)勢和資源優(yōu)勢的互補與整合，共謀發(fā)展，合作共贏。

02 強強聯(lián)合 互惠共贏

　　作為全球領先的分布式能源解決方案提供商，古瑞瓦特為全球提供多元化的高品質產品和服務。逆變器內部，凡是經過大電流的功率型器件，如IGBT、電感等對品質要求極高，以確保逆變器能夠長期穩(wěn)定工作。聯(lián)合實驗室的成立與建設旨在為IGBT等核心部件的實際應用，前沿技術的突破等提供支持與保障。

　　古瑞瓦特新能源及安森美聯(lián)合實驗室一期成立于2018年，位于古瑞瓦特的研發(fā)中心。安森美半導體提供各項設備并對古瑞瓦特研發(fā)團隊進行深入培訓技術交流，在實驗室中即可對IGBT在逆變器中的使用進行提前預演，從熱仿真、損耗測試、電壓、電流、溫度等多方面進行嚴格測試，保障IGBT的品質以及與逆變器的適配性。實驗室建設分立式IGBT評估平臺、IGBT模塊評估平臺，進行仿真、損耗、溫升、應力、雙脈沖測試等;SiC DIODE和SiC MOSFET評估平臺，可應用于更高頻更高功率密度設計等。此次聯(lián)合實驗室二期，安森美優(yōu)化器件技術支持，新增設的示波器功能全新升級，適配高頻組件。

　　聯(lián)合實驗室將在資源共享、技術開發(fā)、人才交流上深入合作，為古瑞瓦特創(chuàng)造業(yè)界領先的逆變器產品注入新的技術支持。更精準推動IGBT實際應用，推進技術交流。采用安森美更先進技術的晶元以及新封裝，實現(xiàn)IGBT等前沿技術的突破，更高效實現(xiàn)光伏產品開發(fā)。

03 攜手同行 共話未來

　　古瑞瓦特與安森美半導體多年來一直保持良好的合作關系。實驗室的建成與進一步發(fā)展完善，是兩家企業(yè)建立更為緊密、長期的戰(zhàn)略合作關系的橋梁，實現(xiàn)產品與科技的完美融合。

      未來，古瑞瓦特將繼續(xù)以優(yōu)質產品為基石，探索更深層次發(fā)展與創(chuàng)新模式，不斷實現(xiàn)技術突破和創(chuàng)新，提升品牌影響力和核心競爭力。古瑞瓦特和安森美半導體也將攜手打造更高品質的產品，為客戶提供更創(chuàng)新的、領先市場的解決方案。